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【產(chǎn)品應(yīng)用】二維過(guò)渡金屬硫?qū)倩锏碾妶?chǎng)調(diào)控
- 分類:專題專欄
- 作者:低維材料在線
- 來(lái)源:
- 發(fā)布時(shí)間:2017-12-19 23:13
- 訪問(wèn)量:
【概要描述】? ? ? ?眾所周知,當(dāng)物質(zhì)尺度從三維的塊體變成二維、甚至單原子層的時(shí)候,它往往能表現(xiàn)出新穎的物理特性。據(jù)巨納集團(tuán)工程師介紹,二維半導(dǎo)體材料,尤其是二維過(guò)渡金屬硫化物,巨納低維材料在線提供的二維過(guò)渡金屬硫化物就因具有許多與其在塊狀形態(tài)下不同的特征頗受科學(xué)家們的青睞,比如:隨著層數(shù)的減少,原本是間接帶隙半導(dǎo)體的二維過(guò)渡金屬硫化物就“搖身一變”成為直接帶隙半導(dǎo)體。具有蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)并呈空間對(duì)稱性破缺的單層MoS2,使之成為能谷電子學(xué)(valleytronics)的熱點(diǎn)材料。這些優(yōu)越的性能開啟了二維過(guò)渡金屬硫化物在光電子和電子器件研究方面的新篇章?;趯?duì)二維過(guò)渡金屬硫化物的電場(chǎng)調(diào)控的最新進(jìn)展,新加坡南洋理工大學(xué)劉政課題組就從光學(xué)性能、金屬-絕緣體相變和能谷性能調(diào)控三個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的總結(jié)。 ? ? ? ?從光學(xué)性能調(diào)控的角度出發(fā),理論計(jì)算證明,外加特定的電場(chǎng),雙層二硫化鉬能實(shí)現(xiàn)從直接帶隙半導(dǎo)體到間接帶隙半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變,使得其相應(yīng)的發(fā)光和激子特性發(fā)生變化。單層二硫化鉬內(nèi)部電子濃度受到電場(chǎng)的作用發(fā)生變化,可以使材料的發(fā)光光譜在電中性激子和帶電荷激子之間轉(zhuǎn)換,改變激子結(jié)合能。結(jié)合外加電場(chǎng)在非線性光學(xué)性能領(lǐng)域?qū)ΧS材料倍頻的調(diào)控,二維過(guò)渡金屬硫化物在光電器件方面的應(yīng)用已經(jīng)呼之欲出。 ? ? ? ?而在電學(xué)性能調(diào)控方面,通過(guò)提高二硫化鉬等二維過(guò)渡金屬硫化物的載流子濃度,可以實(shí)現(xiàn)其從半導(dǎo)體到金屬的轉(zhuǎn)變,人們甚至發(fā)現(xiàn)其在低溫時(shí)表現(xiàn)出了超導(dǎo)的特性。利用二維強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系,利用電場(chǎng)調(diào)制二維超導(dǎo)材料轉(zhuǎn)變溫度也變成了可能。在TiSe2體系中,電場(chǎng)調(diào)控抑制了電荷密度波(CDW)態(tài),同時(shí)使體系表現(xiàn)出超導(dǎo)態(tài),這就為研究電場(chǎng)調(diào)控多體態(tài)提供了新的思路。 ? ? ? ?最值得期待的則是二維過(guò)渡金屬硫化物在能谷性能調(diào)控方面的表現(xiàn)。雙層二硫化鉬能夠在外加電場(chǎng)的作用下,利用自身結(jié)構(gòu)特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)對(duì)稱性破缺并且進(jìn)一步完成對(duì)能谷極化的調(diào)控。利用這一現(xiàn)象,材料能谷霍爾效應(yīng)的電場(chǎng)調(diào)控同樣可以被實(shí)現(xiàn),這就昭示著制備出能谷器件的可能。此外,在塊體WSe2表面,電場(chǎng)也可以引起對(duì)稱性破缺,來(lái)產(chǎn)生并調(diào)節(jié)自旋或是能谷電流。在強(qiáng)電場(chǎng)的調(diào)制下,二維過(guò)渡金屬硫化物的能谷性能就可以用來(lái)產(chǎn)生電致圓偏光。這些特質(zhì)使人們?cè)谀芄入娮訉W(xué)這一新興研究領(lǐng)域向前邁了一大步。隨著對(duì)二維過(guò)渡金屬硫化物性能調(diào)控的深入研究,基于電場(chǎng)效應(yīng),結(jié)合并優(yōu)化材料的光學(xué)、電學(xué)和能谷性能,相信新穎二維光電器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用可指日而待,在廣袤的科技田野中開出一朵新鮮絢爛的花。
【產(chǎn)品應(yīng)用】二維過(guò)渡金屬硫?qū)倩锏碾妶?chǎng)調(diào)控
【概要描述】? ? ? ?眾所周知,當(dāng)物質(zhì)尺度從三維的塊體變成二維、甚至單原子層的時(shí)候,它往往能表現(xiàn)出新穎的物理特性。據(jù)巨納集團(tuán)工程師介紹,二維半導(dǎo)體材料,尤其是二維過(guò)渡金屬硫化物,巨納低維材料在線提供的二維過(guò)渡金屬硫化物就因具有許多與其在塊狀形態(tài)下不同的特征頗受科學(xué)家們的青睞,比如:隨著層數(shù)的減少,原本是間接帶隙半導(dǎo)體的二維過(guò)渡金屬硫化物就“搖身一變”成為直接帶隙半導(dǎo)體。具有蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)并呈空間對(duì)稱性破缺的單層MoS2,使之成為能谷電子學(xué)(valleytronics)的熱點(diǎn)材料。這些優(yōu)越的性能開啟了二維過(guò)渡金屬硫化物在光電子和電子器件研究方面的新篇章?;趯?duì)二維過(guò)渡金屬硫化物的電場(chǎng)調(diào)控的最新進(jìn)展,新加坡南洋理工大學(xué)劉政課題組就從光學(xué)性能、金屬-絕緣體相變和能谷性能調(diào)控三個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的總結(jié)。
? ? ? ?從光學(xué)性能調(diào)控的角度出發(fā),理論計(jì)算證明,外加特定的電場(chǎng),雙層二硫化鉬能實(shí)現(xiàn)從直接帶隙半導(dǎo)體到間接帶隙半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變,使得其相應(yīng)的發(fā)光和激子特性發(fā)生變化。單層二硫化鉬內(nèi)部電子濃度受到電場(chǎng)的作用發(fā)生變化,可以使材料的發(fā)光光譜在電中性激子和帶電荷激子之間轉(zhuǎn)換,改變激子結(jié)合能。結(jié)合外加電場(chǎng)在非線性光學(xué)性能領(lǐng)域?qū)ΧS材料倍頻的調(diào)控,二維過(guò)渡金屬硫化物在光電器件方面的應(yīng)用已經(jīng)呼之欲出。
? ? ? ?而在電學(xué)性能調(diào)控方面,通過(guò)提高二硫化鉬等二維過(guò)渡金屬硫化物的載流子濃度,可以實(shí)現(xiàn)其從半導(dǎo)體到金屬的轉(zhuǎn)變,人們甚至發(fā)現(xiàn)其在低溫時(shí)表現(xiàn)出了超導(dǎo)的特性。利用二維強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系,利用電場(chǎng)調(diào)制二維超導(dǎo)材料轉(zhuǎn)變溫度也變成了可能。在TiSe2體系中,電場(chǎng)調(diào)控抑制了電荷密度波(CDW)態(tài),同時(shí)使體系表現(xiàn)出超導(dǎo)態(tài),這就為研究電場(chǎng)調(diào)控多體態(tài)提供了新的思路。
? ? ? ?最值得期待的則是二維過(guò)渡金屬硫化物在能谷性能調(diào)控方面的表現(xiàn)。雙層二硫化鉬能夠在外加電場(chǎng)的作用下,利用自身結(jié)構(gòu)特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)對(duì)稱性破缺并且進(jìn)一步完成對(duì)能谷極化的調(diào)控。利用這一現(xiàn)象,材料能谷霍爾效應(yīng)的電場(chǎng)調(diào)控同樣可以被實(shí)現(xiàn),這就昭示著制備出能谷器件的可能。此外,在塊體WSe2表面,電場(chǎng)也可以引起對(duì)稱性破缺,來(lái)產(chǎn)生并調(diào)節(jié)自旋或是能谷電流。在強(qiáng)電場(chǎng)的調(diào)制下,二維過(guò)渡金屬硫化物的能谷性能就可以用來(lái)產(chǎn)生電致圓偏光。這些特質(zhì)使人們?cè)谀芄入娮訉W(xué)這一新興研究領(lǐng)域向前邁了一大步。隨著對(duì)二維過(guò)渡金屬硫化物性能調(diào)控的深入研究,基于電場(chǎng)效應(yīng),結(jié)合并優(yōu)化材料的光學(xué)、電學(xué)和能谷性能,相信新穎二維光電器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用可指日而待,在廣袤的科技田野中開出一朵新鮮絢爛的花。
- 分類:專題專欄
- 作者:低維材料在線
- 來(lái)源:
- 發(fā)布時(shí)間:2017-12-19 23:13
- 訪問(wèn)量:
眾所周知,當(dāng)物質(zhì)尺度從三維的塊體變成二維、甚至單原子層的時(shí)候,它往往能表現(xiàn)出新穎的物理特性。據(jù)巨納集團(tuán)工程師介紹,二維半導(dǎo)體材料,尤其是二維過(guò)渡金屬硫化物,巨納低維材料在線提供的二維過(guò)渡金屬硫化物就因具有許多與其在塊狀形態(tài)下不同的特征頗受科學(xué)家們的青睞,比如:隨著層數(shù)的減少,原本是間接帶隙半導(dǎo)體的二維過(guò)渡金屬硫化物就“搖身一變”成為直接帶隙半導(dǎo)體。具有蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)并呈空間對(duì)稱性破缺的單層MoS2,使之成為能谷電子學(xué)(valleytronics)的熱點(diǎn)材料。這些優(yōu)越的性能開啟了二維過(guò)渡金屬硫化物在光電子和電子器件研究方面的新篇章?;趯?duì)二維過(guò)渡金屬硫化物的電場(chǎng)調(diào)控的最新進(jìn)展,新加坡南洋理工大學(xué)劉政課題組就從光學(xué)性能、金屬-絕緣體相變和能谷性能調(diào)控三個(gè)方面對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的總結(jié)。
從光學(xué)性能調(diào)控的角度出發(fā),理論計(jì)算證明,外加特定的電場(chǎng),雙層二硫化鉬能實(shí)現(xiàn)從直接帶隙半導(dǎo)體到間接帶隙半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變,使得其相應(yīng)的發(fā)光和激子特性發(fā)生變化。單層二硫化鉬內(nèi)部電子濃度受到電場(chǎng)的作用發(fā)生變化,可以使材料的發(fā)光光譜在電中性激子和帶電荷激子之間轉(zhuǎn)換,改變激子結(jié)合能。結(jié)合外加電場(chǎng)在非線性光學(xué)性能領(lǐng)域?qū)ΧS材料倍頻的調(diào)控,二維過(guò)渡金屬硫化物在光電器件方面的應(yīng)用已經(jīng)呼之欲出。
而在電學(xué)性能調(diào)控方面,通過(guò)提高二硫化鉬等二維過(guò)渡金屬硫化物的載流子濃度,可以實(shí)現(xiàn)其從半導(dǎo)體到金屬的轉(zhuǎn)變,人們甚至發(fā)現(xiàn)其在低溫時(shí)表現(xiàn)出了超導(dǎo)的特性。利用二維強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系,利用電場(chǎng)調(diào)制二維超導(dǎo)材料轉(zhuǎn)變溫度也變成了可能。在TiSe2體系中,電場(chǎng)調(diào)控抑制了電荷密度波(CDW)態(tài),同時(shí)使體系表現(xiàn)出超導(dǎo)態(tài),這就為研究電場(chǎng)調(diào)控多體態(tài)提供了新的思路。
最值得期待的則是二維過(guò)渡金屬硫化物在能谷性能調(diào)控方面的表現(xiàn)。雙層二硫化鉬能夠在外加電場(chǎng)的作用下,利用自身結(jié)構(gòu)特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)對(duì)稱性破缺并且進(jìn)一步完成對(duì)能谷極化的調(diào)控。利用這一現(xiàn)象,材料能谷霍爾效應(yīng)的電場(chǎng)調(diào)控同樣可以被實(shí)現(xiàn),這就昭示著制備出能谷器件的可能。此外,在塊體WSe2表面,電場(chǎng)也可以引起對(duì)稱性破缺,來(lái)產(chǎn)生并調(diào)節(jié)自旋或是能谷電流。在強(qiáng)電場(chǎng)的調(diào)制下,二維過(guò)渡金屬硫化物的能谷性能就可以用來(lái)產(chǎn)生電致圓偏光。這些特質(zhì)使人們?cè)谀芄入娮訉W(xué)這一新興研究領(lǐng)域向前邁了一大步。隨著對(duì)二維過(guò)渡金屬硫化物性能調(diào)控的深入研究,基于電場(chǎng)效應(yīng),結(jié)合并優(yōu)化材料的光學(xué)、電學(xué)和能谷性能,相信新穎二維光電器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用可指日而待,在廣袤的科技田野中開出一朵新鮮絢爛的花。
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